FQB11P06TM

包装
带卷（TR）可替代的包装
系列
QFET?
FET 类型
MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压 (Vdss)
60V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）
11.4A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）
175 毫欧 @ 5.7A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)
17nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)
550pF @ 25V
功率 - 最大值
3.13W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB
产品简介说明
MOSFET P-CH 60V 11.4A D2PAK
产品描述备注

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