IPD65R380E6

包装
带卷（TR）可替代的包装
系列
CoolMOS??
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压 (Vdss)
650V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）
10.6A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）
380 毫欧 @ 3.2A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 320μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)
39nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)
710pF @ 100V
功率 - 最大值
83W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
产品简介说明
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252
产品描述备注

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产品分类

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