SPP20N60CFD

包装
管件
系列
CoolMOS??
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压 (Vdss)
650V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）
20.7A （Tc）
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）
220 毫欧 @ 13.1A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）
5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)
124nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)
2400pF @ 25V
功率 - 最大值
208W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3
产品简介说明
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-220
产品描述备注

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