FDU7N60NZTU

包装
管件
系列
UniFET-II??
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压 (Vdss)
600V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）
5.5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）
1.25 欧姆 @ 2.75A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）
5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)
17nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)
730pF @ 25V
功率 - 最大值
90W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB
产品简介说明
MOSFET N-CH 600V SGL IPAK
产品描述备注

购买须知

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