FDFMA2P853

包装
带卷（TR）可替代的包装
系列
PowerTrench?
FET 类型
MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能
二极管（隔离式）
漏源极电压 (Vdss)
20V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）
3A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）
120 毫欧 @ 3A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）
1.3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)
6nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)
435pF @ 10V
功率 - 最大值
700mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
6-WDFN 裸露焊盘
产品简介说明
MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET6
产品描述备注

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