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2N6052G

  • 厂家：ON Semiconductor
  • 封装：TO-3
  • 批号：--
  • 数量：399 - 立即发货
  • 价格：30.660
  • 类型：晶体管（BJT） - 单路
  • PDF：2N6052G

2N6052G

  • 包装

    托盘

  • 系列

    -

  • 晶体管类型

    PNP - 达林顿

  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）

    12A

  • 电压 - 集射极击穿（最大值）

    100V

  • 不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）

    3V @ 120mA，12A

  • 电流 - 集电极截止（最大值）

    1mA

  • 不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）

    750 @ 6A，3V

  • 功率 - 最大值

    150W

  • 频率 - 跃迁

    -

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-204AA，TO-3

  • 产品简介说明

    TRANS DARL PNP 12A 100V TO3

  • 产品描述备注

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