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2SA1972(TE6,F,M)

  • 厂家：Toshiba Semiconductor and Storage
  • 封装：LSTM
  • 批号：--
  • 数量：电询
  • 价格：1.634
  • 类型：晶体管（BJT） - 单路
  • PDF：2SA1972(TE6,F,M)

2SA1972(TE6,F,M)

  • 包装

    带盒（TB）

  • 系列

    -

  • 晶体管类型

    PNP

  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）

    500mA

  • 电压 - 集射极击穿（最大值）

    400V

  • 不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）

    1V @ 10mA，100mA

  • 电流 - 集电极截止（最大值）

    -

  • 不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）

    140 @ 20mA，5V

  • 功率 - 最大值

    900mW

  • 频率 - 跃迁

    35MHz

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-226-3、TO-92-3 长体

  • 产品简介说明

    TRANSISTOR PNP 400V 0.5A LSTM

  • 产品描述备注

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