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2SK536-TB-E

  • 厂家：SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation
  • 封装：3-CP
  • 批号：--
  • 数量：电询
  • 价格：询价
  • 类型：FET - 单
  • PDF：2SK536-TB-E

2SK536-TB-E

  • 包装

    带卷 （TR） 可替代的包装

  • 系列

    -

  • FET 类型

    MOSFET N 通道，金属氧化物

  • FET 功能

    逻辑电平门

  • 漏源极电压 (Vdss)

    50V

  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）

    100mA （Ta）

  • 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）

    20 欧姆 @ 10mA，10V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）

    -

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)

    -

  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)

    15pF @ 10V

  • 功率 - 最大值

    200mW

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 产品简介说明

    MOSFET N-CH 50V 100MA 3CP

  • 产品描述备注

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