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2SK545-11D-TB-E

  • 厂家：ON Semiconductor
  • 封装：3-CP
  • 批号：--
  • 数量：电询
  • 价格：0.724
  • 类型：JFET（结点场效应）
  • PDF：2SK545-11D-TB-E

2SK545-11D-TB-E

  • 包装

    带卷 （TR）

  • 系列

    -

  • FET 类型

    N 沟道

  • 电压 - 击穿 (V(BR)GSS)

    -

  • 漏源极电压 (Vdss)

    40V

  • 不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss)

    60μA @ 10V

  • 漏极电流 (Id) - 最大值

    1mA

  • 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）

    1.5V @ 1μA

  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)

    1.7pF @ 10V

  • 电阻 - RDS（开）

    -

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 功率 - 最大值

    125mW

  • 产品简介说明

    JFET N-CH 1MA 125MW CP

  • 产品描述备注

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