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APTC90DDA12T1G

  • 厂家：Microsemi Power Products Group
  • 封装：SP1
  • 批号：--
  • 数量：电询
  • 价格：469.023
  • 类型：FET - 模块
  • PDF：APTC90DDA12T1G

APTC90DDA12T1G

  • 包装

    托盘

  • 系列

    CoolMOS??

  • FET 类型

    2 N 沟道（双路降压斩波器）

  • FET 功能

    超级结

  • 漏源极电压 (Vdss)

    900V

  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）

    30A

  • 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）

    120 毫欧 @ 26A，10V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）

    3.5V @ 3mA

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)

    270nC @ 10V

  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)

    6800pF @ 100V

  • 功率 - 最大值

    250W

  • 安装类型

    底座安装

  • 封装/外壳

    SP1

  • 产品简介说明

    MOD MOSFET 900V SP1

  • 产品描述备注

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