BSH103,215
带卷 (TR) 可替代的包装
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MOSFET N 通道,金属氧化物
逻辑电平门
30V
850mA (Ta)
400 毫欧 @ 500mA,4.5V
400mV @ 1mA (最小)
2.1nC @ 4.5V
83pF @ 24V
540mW
表面贴装
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
MOSFET N-CH 30V 0.85A SOT23