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CSD25213W10

  • 厂家：Texas Instruments
  • 封装：4-DSBGA（1x1）
  • 批号：--
  • 数量：135,000 - 厂方库存
  • 价格：1.733
  • 类型：FET - 单
  • PDF：CSD25213W10

CSD25213W10

  • 包装

    带卷 （TR）

  • 系列

    NexFET??

  • FET 类型

    MOSFET P 通道，金属氧化物

  • FET 功能

    逻辑电平门

  • 漏源极电压 (Vdss)

    20V

  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）

    1.6A

  • 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）

    47 毫欧 @ 1A、 4.5V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）

    1.1V @ 250μA

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)

    2.9nC @ 4.5V

  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)

    478pF @ 10V

  • 功率 - 最大值

    1W

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    4-UFBGA，DSBGA

  • 产品简介说明

    MOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGA

  • 产品描述备注

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