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DMG3415UFY4-7

  • 厂家：Diodes Incorporated
  • 封装：DFN2015H4-3
  • 批号：--
  • 数量：3,000 - 立即发货
  • 价格：1.085
  • 类型：FET - 单
  • PDF：DMG3415UFY4-7

DMG3415UFY4-7

  • 包装

    带卷 （TR） 可替代的包装

  • 系列

    -

  • FET 类型

    MOSFET P 通道，金属氧化物

  • FET 功能

    逻辑电平门

  • 漏源极电压 (Vdss)

    16V

  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）

    2.5A （Ta）

  • 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）

    39 毫欧 @ 4A，4.5V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）

    1V @ 250μA

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)

    10nC @ 4.5V

  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)

    281.9pF @ 10V

  • 功率 - 最大值

    490mW

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    3-XFDFN

  • 产品简介说明

    MOSFET P-CH 16V 2.5A DFN-3

  • 产品描述备注

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