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DMN21D2UFB-7B

  • 厂家：Diodes Incorporated
  • 封装：3-DFN1006（1.0x0.6）
  • 批号：--
  • 数量：10,000 - 立即发货
  • 价格：0.490
  • 类型：FET - 单
  • PDF：DMN21D2UFB-7B

DMN21D2UFB-7B

  • 包装

    带卷 （TR） 可替代的包装

  • 系列

    -

  • FET 类型

    MOSFET N 通道，金属氧化物

  • FET 功能

    逻辑电平门

  • 漏源极电压 (Vdss)

    20V

  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）

    760mA （Ta）

  • 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）

    990 毫欧 @ 100mA，4.5V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）

    1V @ 250μA

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)

    0.93nC @ 10V

  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)

    27.6pF @ 16V

  • 功率 - 最大值

    900mW

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    3-XFDFN

  • 产品简介说明

    MOSFET N CH 20V 3DFN

  • 产品描述备注

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