DMN2300UFD-7
带卷 (TR) 可替代的包装
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MOSFET N 通道,金属氧化物
逻辑电平门
20V
1.21A (Ta)
200 毫欧 @ 900mA,4.5V
950mV @ 250μA
2nC @ 4.5V
67.62pF @ 25V
470mW
表面贴装
3-UDFN
MOSFET N-CH 20V 1.73A 3UDFN