您好，欢迎您来到婷轩实业有限公司官方网站
服务热线：0755-89608519 / 13823657577 |帮助中心|设为首页| 加入收藏
您当前位置：首 页 >> 产品索引 >> EC3A04B-3-TL-H
跳过导航链接。

EC3A04B-3-TL-H

  • 厂家：ON Semiconductor
  • 封装：3-ECSP1006
  • 批号：--
  • 数量：电询
  • 价格：询价
  • 类型：JFET（结点场效应）
  • PDF：EC3A04B-3-TL-H

EC3A04B-3-TL-H

  • 包装

    带卷 （TR）

  • 系列

    -

  • FET 类型

    N 沟道

  • 电压 - 击穿 (V(BR)GSS)

    -

  • 漏源极电压 (Vdss)

    30V

  • 不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss)

    1.2mA @ 10V

  • 漏极电流 (Id) - 最大值

    10mA

  • 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）

    180mV @ 1μA

  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)

    4pF @ 10V

  • 电阻 - RDS（开）

    200 欧姆

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    3-XFDFN

  • 功率 - 最大值

    100mW

  • 产品简介说明

    JFET N-CH 10MA 100MW ECSP1006-3

  • 产品描述备注

特价专区

在线客服1
扫描加我微信
QQ在线客服