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FDFME2P823ZT

  • 厂家：Fairchild Semiconductor
  • 封装：6-MicroFET（1.6x1.6）
  • 批号：--
  • 数量：30,000 - 厂方库存
  • 价格：1.607
  • 类型：FET - 单
  • PDF：FDFME2P823ZT

FDFME2P823ZT

  • 包装

    带卷 （TR） 可替代的包装

  • 系列

    PowerTrench?

  • FET 类型

    MOSFET P 通道，金属氧化物

  • FET 功能

    二极管（隔离式）

  • 漏源极电压 (Vdss)

    20V

  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）

    2.6A （Ta）

  • 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）

    142 毫欧 @ 2.3A，4.5V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）

    1V @ 250μA

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)

    7.7nC @ 4.5V

  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)

    405pF @ 10V

  • 功率 - 最大值

    600mW

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    6-UMLP，6-MicroFET?

  • 产品简介说明

    MOSFET P-CH 20V 2.6A 6MICROFET

  • 产品描述备注

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