FDG313N
带卷 (TR) 可替代的包装
-
MOSFET N 通道,金属氧化物
逻辑电平门
25V
950mA
450 毫欧 @ 500mA,4.5V
1.5V @ 250μA
2.3nC @ 4.5V
50pF @ 10V
480mW
表面贴装
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
MOSFET N-CH 25V 0.95A SC70-6