FDN337N
带卷 (TR) 可替代的包装
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MOSFET N 通道,金属氧化物
逻辑电平门
30V
2.2A (Ta)
65 毫欧 @ 2.2A,4.5V
1V @ 250μA
9nC @ 4.5V
300pF @ 10V
460mW
表面贴装
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
MOSFET N-CH 30V 2.2A SSOT3