FDN357N
带卷 (TR) 可替代的包装
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MOSFET N 通道,金属氧化物
逻辑电平门
30V
1.9A (Ta)
60 毫欧 @ 2.2A,10V
2V @ 250μA
5.9nC @ 5V
235pF @ 10V
460mW
表面贴装
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
MOSFET N-CH 30V 1.9A SSOT3