FDV301N
带卷 (TR) 可替代的包装
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MOSFET N 通道,金属氧化物
逻辑电平门
25V
220mA (Ta)
4 欧姆 @ 400mA,4.5V
1.06V @ 250μA
0.7nC @ 4.5V
9.5pF @ 10V
350mW
表面贴装
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT-23