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FQB19N20LTM

  • 厂家:Fairchild Semiconductor
  • 封装:D²PAK
  • 批号:--
  • 数量:800 - 立即发货800 - 厂方库存
  • 价格:4.621
  • 类型:FET - 单
  • PDF:FQB19N20LTM

FQB19N20LTM

  • 包装

    带卷 (TR) 可替代的包装

  • 系列

    QFET?

  • FET 类型

    MOSFET N 通道,金属氧化物

  • FET 功能

    标准

  • 漏源极电压 (Vdss)

    200V

  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时)

    21A (Tc)

  • 不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)

    140 毫欧 @ 10.5A,10V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)

    2V @ 250μA

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)

    35nC @ 5V

  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)

    2200pF @ 25V

  • 功率 - 最大值

    3.13W

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB

  • 产品简介说明

    MOSFET N-CH 200V 21A D2PAK

  • 产品描述备注