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HN3C10FUTE85LF

  • 厂家：Toshiba Semiconductor and Storage
  • 封装：US6
  • 批号：--
  • 数量：2,996 - 立即发货
  • 价格：询价
  • 类型：RF 晶体管
  • PDF：HN3C10FUTE85LF

HN3C10FUTE85LF

  • 包装

    Digi-Reel? 可替代的包装

  • 系列

    -

  • 晶体管类型

    2 NPN（双）

  • 电压 - 集射极击穿（最大值）

    12V

  • 频率 - 跃迁

    7GHz

  • 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）

    1.1dB @ 1GHz

  • 增益

    11.5dB

  • 功率 - 最大值

    200mW

  • 不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）

    80 @ 20mA，10V

  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）

    80mA

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    6-TSSOP，SC-88，SOT-363

  • 产品简介说明

    TRANSISTOR NPN US6

  • 产品描述备注

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