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HSG1002VE-TL-E

  • 厂家：Renesas Electronics America
  • 封装：4-MFPAK
  • 批号：--
  • 数量：电询
  • 价格：询价
  • 类型：RF 晶体管
  • PDF：HSG1002VE-TL-E

HSG1002VE-TL-E

  • 包装

    带卷 （TR）

  • 系列

    -

  • 晶体管类型

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿（最大值）

    3.5V

  • 频率 - 跃迁

    38GHz

  • 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）

    0.7dB ~ 1.8dB @ 1.8GHz ~ 5.8GHz

  • 增益

    8dB ~ 19.5dB

  • 功率 - 最大值

    200mW

  • 不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）

    100 @ 5mA，2V

  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）

    35mA

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    4-SMD，鸥翼型

  • 产品简介说明

    IC AMP HBT SIGE 38GHZ MFPAK-4

  • 产品描述备注

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