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IPD65R1K4CFDBTMA1

  • 厂家：Infineon Technologies
  • 封装：PG-TO252
  • 批号：--
  • 数量：电询
  • 价格：4.817
  • 类型：FET - 单
  • PDF：IPD65R1K4CFDBTMA1

IPD65R1K4CFDBTMA1

  • 包装

    带卷 （TR） 可替代的包装

  • 系列

    CoolMOS??

  • FET 类型

    MOSFET N 通道，金属氧化物

  • FET 功能

    标准

  • 漏源极电压 (Vdss)

    650V

  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）

    2.8A （Tc）

  • 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）

    1.4 欧姆 @ 1A， 10V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）

    4.5V @ 100μA

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)

    10nC @ 10V

  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)

    262pF @ 100V

  • 功率 - 最大值

    28.4W

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

  • 产品简介说明

    MOSFET N-CH 650V 2.8A TO-252

  • 产品描述备注

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