IRF5801TRPBF
带卷 (TR) 可替代的包装
HEXFET?
MOSFET N 通道,金属氧化物
标准
200V
600mA (Ta)
2.2 欧姆 @ 360mA,10V
5.5V @ 250μA
3.9nC @ 10V
88pF @ 25V
2W
表面贴装
6-TSOP(0.059",1.50mm 宽)
MOSFET N-CH 200V 600MA 6-TSOP