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IRFD110

  • 厂家：Vishay Siliconix
  • 封装：4-DIP，Hexdip，HVMDIP
  • 批号：--
  • 数量：1,669 - 立即发货
  • 价格：20.650
  • 类型：FET - 单
  • PDF：IRFD110

IRFD110

  • 包装

    管件

  • 系列

    -

  • FET 类型

    MOSFET N 通道，金属氧化物

  • FET 功能

    标准

  • 漏源极电压 (Vdss)

    100V

  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）

    1A （Ta）

  • 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）

    540 毫欧 @ 600mA，10V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）

    4V @ 250μA

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)

    8.3nC @ 10V

  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)

    180pF @ 25V

  • 功率 - 最大值

    1.3W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    4-DIP（0.300"，7.62mm）

  • 产品简介说明

    MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP

  • 产品描述备注

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