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IRFD113PBF

  • 厂家：Vishay Siliconix
  • 封装：4-HVMDIP
  • 批号：--
  • 数量：电询
  • 价格：6.615
  • 类型：FET - 单
  • PDF：IRFD113PBF

IRFD113PBF

  • 包装

    带卷 （TR）

  • 系列

    -

  • FET 类型

    MOSFET N 通道，金属氧化物

  • FET 功能

    标准

  • 漏源极电压 (Vdss)

    60V

  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）

    800mA （Tc）

  • 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）

    800 毫欧 @ 800mA， 10V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）

    4V @ 250μA

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)

    7nC @ 10V

  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)

    200pF @ 25V

  • 功率 - 最大值

    1W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    4-DIP（0.300"，7.62mm）

  • 产品简介说明

    MOSFET N-CH 60V 800MA 4-DIP

  • 产品描述备注

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