IRFR9N20DTRPBF
带卷 (TR) 可替代的包装
HEXFET?
MOSFET N 通道,金属氧化物
标准
200V
9.4A (Tc)
380 毫欧 @ 5.6A,10V
5.5V @ 250μA
27nC @ 10V
560pF @ 25V
86W
表面贴装
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK