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NDD02N60Z-1G

  • 厂家：ON Semiconductor
  • 封装：I-Pak
  • 批号：--
  • 数量：698 - 立即发货
  • 价格：5.180
  • 类型：FET - 单
  • PDF：NDD02N60Z-1G

NDD02N60Z-1G

  • 包装

    管件

  • 系列

    -

  • FET 类型

    MOSFET N 通道，金属氧化物

  • FET 功能

    标准

  • 漏源极电压 (Vdss)

    600V

  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）

    2.2A （Tc）

  • 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）

    4.8 欧姆 @ 1A，10V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）

    4.5V @ 50μA

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)

    10.1nC @ 10V

  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)

    274pF @ 25V

  • 功率 - 最大值

    57W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA

  • 产品简介说明

    MOSFET N-CH 600V IPAK

  • 产品描述备注

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