NDS352AP
带卷 (TR) 可替代的包装
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MOSFET P 通道,金属氧化物
逻辑电平门
30V
900mA (Ta)
300 毫欧 @ 1A,10V
2.5V @ 250μA
3nC @ 4.5V
135pF @ 15V
460mW
表面贴装
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
MOSFET P-CH 30V 900MA SSOT3