NDS356AP
带卷 (TR) 可替代的包装
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MOSFET P 通道,金属氧化物
逻辑电平门
30V
1.1A (Ta)
200 毫欧 @ 1.3A,10V
2.5V @ 250μA
4.4nC @ 5V
280pF @ 10V
460mW
表面贴装
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
MOSFET P-CH 30V 1.1A SSOT3