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NSS35200MR6T1G

  • 厂家：ON Semiconductor
  • 封装：6-TSOP
  • 批号：--
  • 数量：6,000 - 立即发货
  • 价格：0.998
  • 类型：晶体管（BJT） - 单路
  • PDF：NSS35200MR6T1G

NSS35200MR6T1G

  • 包装

    带卷 （TR） 可替代的包装

  • 系列

    -

  • 晶体管类型

    PNP

  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）

    2A

  • 电压 - 集射极击穿（最大值）

    35V

  • 不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）

    310mV @ 20mA，2A

  • 电流 - 集电极截止（最大值）

    100nA

  • 不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）

    100 @ 1.5A，1.5V

  • 功率 - 最大值

    625mW

  • 频率 - 跃迁

    100MHz

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    SC-74，SOT-457

  • 产品简介说明

    TRANSISTOR PNP 2A 35V TSOP-6

  • 产品描述备注

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