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NST857BDP6T5G

  • 厂家：ON Semiconductor
  • 封装：SOT-963
  • 批号：--
  • 数量：电询
  • 价格：0.479
  • 类型：晶体管（BJT） - 阵列
  • PDF：NST857BDP6T5G

NST857BDP6T5G

  • 包装

    带卷 （TR）

  • 系列

    -

  • 晶体管类型

    2 PNP（双）

  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）

    100mA

  • 电压 - 集射极击穿（最大值）

    45V

  • 不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）

    700mV @ 5mA，100mA

  • 电流 - 集电极截止（最大值）

    -

  • 不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）

    220 @ 2mA，5V

  • 功率 - 最大值

    350mW

  • 频率 - 跃迁

    100MHz

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    SOT-963

  • 产品简介说明

    TRANS DUAL PNP 45V 100MA SOT963

  • 产品描述备注

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