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NTD3808N-1G

  • 厂家：ON Semiconductor
  • 封装：I-Pak
  • 批号：--
  • 数量：电询
  • 价格：询价
  • 类型：FET - 单
  • PDF：NTD3808N-1G

NTD3808N-1G

  • 包装

    管件

  • 系列

    -

  • FET 类型

    MOSFET N 通道，金属氧化物

  • FET 功能

    逻辑电平门

  • 漏源极电压 (Vdss)

    16V

  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）

    12A （Ta）， 76A （Tc）

  • 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）

    5.8 毫欧 @ 15A，10V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）

    2.5V @ 250μA

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)

    21nC @ 4.5V

  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)

    1660pF @ 12V

  • 功率 - 最大值

    1.3W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA

  • 产品简介说明

    MOSFET N-CH 16V 12A IPAK

  • 产品描述备注

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