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NTLGD3502NT1G

  • 厂家：ON Semiconductor
  • 封装：6-DFN（3x3）
  • 批号：--
  • 数量：电询
  • 价格：询价
  • 类型：FET - 阵列
  • PDF：NTLGD3502NT1G

NTLGD3502NT1G

  • 包装

    剪切带 （CT）

  • 系列

    -

  • FET 类型

    2 个 N 沟道（双）

  • FET 功能

    逻辑电平门

  • 漏源极电压 (Vdss)

    20V

  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）

    4.3A，3.6A

  • 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）

    60 毫欧 @ 4.3A，4.5V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）

    2V @ 250μA

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)

    4nC @ 4.5V

  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)

    480pF @ 10V

  • 功率 - 最大值

    1.74W

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    6-VDFN 裸露焊盘

  • 产品简介说明

    MOSFET N-CH DUAL 20V 6-DFN

  • 产品描述备注

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