您好，欢迎您来到婷轩实业有限公司官方网站
服务热线：0755-89608519 / 13823657577 |帮助中心|设为首页| 加入收藏
您当前位置：首 页 >> 产品索引 >> PMXB360ENEA
跳过导航链接。

PMXB360ENEA

  • 厂家：NXP Semiconductors
  • 封装：3-DFN （1.1x1）
  • 批号：--
  • 数量：电询
  • 价格：1.502
  • 类型：FET - 单
  • PDF：PMXB360ENEA

PMXB360ENEA

  • 包装

    带卷 （TR） 可替代的包装

  • 系列

    TrenchMOS??

  • FET 类型

    MOSFET N 通道，金属氧化物

  • FET 功能

    逻辑电平门

  • 漏源极电压 (Vdss)

    80V

  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）

    1.1A （Ta）

  • 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）

    450 毫欧 @ 1.1A， 10V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）

    2.7V @ 250μA

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)

    4.5nC @ 10V

  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)

    130pF @ 40V

  • 功率 - 最大值

    400mW

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    3-XFDFN 裸露焊盘

  • 产品简介说明

    MOSFET N-CH 80V 1.1A 3DFN

  • 产品描述备注

特价专区

在线客服1
扫描加我微信
QQ在线客服