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PMXB360ENEAZ

  • 厂家：NXP Semiconductors
  • 封装：*
  • 批号：--
  • 数量：电询
  • 价格：1.502
  • 类型：FET - 单
  • PDF：PMXB360ENEAZ

PMXB360ENEAZ

  • 包装

    *

  • 系列

    TrenchMOS??

  • FET 类型

    MOSFET N 通道，金属氧化物

  • FET 功能

    逻辑电平门

  • 漏源极电压 (Vdss)

    80V

  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）

    1.1A （Ta）

  • 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）

    450 毫欧 @ 1.1A， 10V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）

    2.7V @ 250μA

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)

    4.5nC @ 10V

  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)

    130pF @ 40V

  • 功率 - 最大值

    400mW

  • 安装类型

    *

  • 封装/外壳

    *

  • 产品简介说明

    MOSFET N-CH 80V 1.1A DFN1010D-3

  • 产品描述备注

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