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PSMN102-200Y,115

  • 厂家：NXP Semiconductors
  • 封装：LFPAK56， Power-SO8
  • 批号：--
  • 数量：6,000 - 立即发货
  • 价格：5.177
  • 类型：FET - 单
  • PDF：PSMN102-200Y,115

PSMN102-200Y,115

  • 包装

    带卷 （TR） 可替代的包装

  • 系列

    TrenchMOS??

  • FET 类型

    MOSFET N 通道，金属氧化物

  • FET 功能

    标准

  • 漏源极电压 (Vdss)

    200V

  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）

    21.5A （Tc）

  • 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）

    102 毫欧 @ 12A，10V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）

    4V @ 1mA

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)

    30.7nC @ 10V

  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)

    1568pF @ 30V

  • 功率 - 最大值

    113W

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    SC-100，SOT-669，4-LFPAK

  • 产品简介说明

    MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK

  • 产品描述备注

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