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RN1110MFV(TL3,T)

  • 厂家：Toshiba Semiconductor and Storage
  • 封装：VESM
  • 批号：--
  • 数量：8,000 - 立即发货
  • 价格：0.280
  • 类型：晶体管（BJT） - 单路﹐预偏压式
  • PDF：RN1110MFV(TL3,T)

RN1110MFV(TL3,T)

  • 包装

    带卷 （TR） 可替代的包装

  • 系列

    -

  • 晶体管类型

    NPN - 预偏压

  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）

    100mA

  • 电压 - 集射极击穿（最大值）

    50V

  • 电阻器 - 基底 (R1) (Ω)

    4.7k

  • 电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω)

    -

  • 不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）

    120 @ 1mA，5V

  • 不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）

    300mV @ 500μA， 5mA

  • 电流 - 集电极截止（最大值）

    100nA（ICBO）

  • 频率 - 跃迁

    -

  • 功率 - 最大值

    150mW

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    SOT-723

  • 产品简介说明

    TRANSISTOR NPN VESM

  • 产品描述备注

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