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RW1C020UNT2R

  • 厂家：Rohm Semiconductor
  • 封装：6-WEMT
  • 批号：--
  • 数量：电询
  • 价格：1.350
  • 类型：FET - 单
  • PDF：RW1C020UNT2R

RW1C020UNT2R

  • 包装

    带卷 （TR）

  • 系列

    -

  • FET 类型

    MOSFET N 通道，金属氧化物

  • FET 功能

    逻辑电平栅极，1.5V 驱动

  • 漏源极电压 (Vdss)

    20V

  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）

    2A

  • 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）

    105 毫欧 @ 2A，4.5V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）

    1V @ 1mA

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)

    2nC @ 4.5V

  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)

    180pF @ 10V

  • 功率 - 最大值

    700mW

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    SOT-563，SOT-666

  • 产品简介说明

    MOSFET N-CH 20V 2A WEMT6

  • 产品描述备注

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