您好，欢迎您来到婷轩实业有限公司官方网站
服务热线：0755-89608519 / 13823657577 |帮助中心|设为首页| 加入收藏
您当前位置：首 页 >> 产品索引 >> SI2369DS-T1-GE3
跳过导航链接。

SI2369DS-T1-GE3

  • 厂家：Vishay Siliconix
  • 封装：TO-236
  • 批号：--
  • 数量：电询
  • 价格：0.982
  • 类型：FET - 单
  • PDF：SI2369DS-T1-GE3

SI2369DS-T1-GE3

  • 包装

    带卷 （TR） 可替代的包装

  • 系列

    TrenchFET?

  • FET 类型

    MOSFET P 通道，金属氧化物

  • FET 功能

    逻辑电平门

  • 漏源极电压 (Vdss)

    30V

  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）

    7.6A （Tc）

  • 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）

    29 毫欧 @ 5.4A， 10V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）

    2.5V @ 250μA

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)

    36nC @ 10V

  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)

    1295pF @ 15V

  • 功率 - 最大值

    2.5W

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 产品简介说明

    MOSFET P-CH 30V 7.6A TO-236

  • 产品描述备注

特价专区

在线客服1
扫描加我微信
QQ在线客服