SI8439DB-T1-E1
带卷 (TR) 可替代的包装
TrenchFET?
MOSFET P 通道,金属氧化物
逻辑电平栅极,1.2V 驱动
8V
5.9A (Ta), 9.2A (Tc)
25 毫欧 @ 1.5A,4.5V
800mV @ 250μA
50nC @ 4.5V
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表面贴装
4-UFBGA
MOSFET P-CH 8V MICROFOOT