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SIHB12N65E-GE3

  • 厂家：Vishay Siliconix
  • 封装：D²PAK （TO-263）
  • 批号：--
  • 数量：电询
  • 价格：9.611
  • 类型：FET - 单
  • PDF：SIHB12N65E-GE3

SIHB12N65E-GE3

  • 包装

    带卷 （TR）

  • 系列

    -

  • FET 类型

    MOSFET N 通道，金属氧化物

  • FET 功能

    标准

  • 漏源极电压 (Vdss)

    650V

  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）

    12A （Tc）

  • 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）

    380 毫欧 @ 6A，10V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）

    4V @ 250μA

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)

    70nC @ 10V

  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)

    1224pF @ 100V

  • 功率 - 最大值

    156W

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB

  • 产品简介说明

    MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK

  • 产品描述备注

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