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SIS435DNT-T1-GE3

  • 厂家：Vishay Siliconix
  • 封装：PowerPAK® 1212-8
  • 批号：--
  • 数量：电询
  • 价格：2.030
  • 类型：FET - 单
  • PDF：SIS435DNT-T1-GE3

SIS435DNT-T1-GE3

  • 包装

    带卷 （TR） 可替代的包装

  • 系列

    TrenchFET?

  • FET 类型

    MOSFET P 通道，金属氧化物

  • FET 功能

    逻辑电平门

  • 漏源极电压 (Vdss)

    20V

  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）

    22A （Ta）， 30A （Tc）

  • 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）

    5.4 毫欧 @ 13A， 4.5V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）

    900mV @ 250μA

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)

    180nC @ 8V

  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)

    5700pF @ 10V

  • 功率 - 最大值

    3.7W

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    PowerPAK 1212-8

  • 产品简介说明

    MOSFET P-CH 20V 30A 1212-8

  • 产品描述备注

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