SKI10123
带卷 (TR) 可替代的包装
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MOSFET N 通道,金属氧化物
逻辑电平栅极,4.5V 驱动
100V
66A (Tc)
11.6 mOhm @ 33A, 10V
2.5V @ 1.5mA
88.8nC @ 10V
6420pF @ 25V
135W
表面贴装
TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB
MOSFET N-CH 100V 66A TO-263