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TK65G10N1,RQ

  • 厂家：Toshiba Semiconductor and Storage
  • 封装：*
  • 批号：--
  • 数量：电询
  • 价格：9.105
  • 类型：FET - 单
  • PDF：TK65G10N1,RQ

TK65G10N1,RQ

  • 包装

    *可替代的包装

  • 系列

    -

  • FET 类型

    MOSFET N 通道，金属氧化物

  • FET 功能

    标准

  • 漏源极电压 (Vdss)

    100V

  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）

    65A （Ta）

  • 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）

    4.5 毫欧 @ 32.5A，10V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）

    4V @ 1mA

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)

    81nC @ 10V

  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)

    5400pF @ 50V

  • 功率 - 最大值

    156W

  • 安装类型

    *

  • 封装/外壳

    *

  • 产品简介说明

    MOSFET N CH 100V D2PAK

  • 产品描述备注

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