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TPH12008NH,L1Q

  • 厂家：Toshiba Semiconductor and Storage
  • 封装：8-SOP 高级
  • 批号：--
  • 数量：电询
  • 价格：3.538
  • 类型：FET - 单
  • PDF：TPH12008NH,L1Q

TPH12008NH,L1Q

  • 包装

    带卷 （TR） 可替代的包装

  • 系列

    -

  • FET 类型

    MOSFET N 通道，金属氧化物

  • FET 功能

    标准

  • 漏源极电压 (Vdss)

    80V

  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）

    24A （Tc）

  • 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）

    12.3 毫欧 @ 12A， 10V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）

    4V @ 300μA

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)

    22nC @ 10V

  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)

    1900pF @ 40V

  • 功率 - 最大值

    48W

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    8-PowerVDFN

  • 产品简介说明

    MOSFET N CH 80V 24A SOP

  • 产品描述备注

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